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迁移带隙是多少,与光学带隙有什么区别?谢谢啦

来源:365bet体育在线 作者:365bet国际娱乐网址 时间:10-21 18:19:08 点击:
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禁带的概念适用于非晶半导体,这是因为晶体半导体的导带和价带中的长程有序消失,短程有序保留和深带尾态。
同时,由于非晶态与完整晶体网络的偏离,电子能级表现为膨胀态与局部态之间的差异。
膨胀的电子对应于晶体半导体中的自由电子(和空穴)。在局部状态下,电子受扩散传输机制的影响,而扩展状态电子的主要区别在于迁移率差异。
因此,能带的扩展状态和局部状态之间的边界被称为迁移率边缘,并且导带至瓦伦西亚带的迁移率边缘的边缘被称为迁移率带隙。
流动带隙很难以简单的方式测量。通常,材料的吸收系数是通过恒定的反射/透射率或光电导率来测量的,然后使用一种特定的方法来找到吸收系数与光子的能量(或波长)以及光学带隙之间的关系所谓的带表示Tauc光学带隙略小于非晶硅材料的迁移率侧。



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